型号 | SPB80N06S2-H5 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
SPB80N06S2-H5 PDF | |
代理商 | SPB80N06S2-H5 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 05/Jun/2008 |
标准包装 | 1,000 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5.5 毫欧 @ 80A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 230µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 155nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000013795 SPB80N06S2H5T |